Сейчас CXMT отрабатывает стабильность технологического процесса, проверяя показатели выхода годных кристаллов и надежность упаковки многослойных сборок. Если тесты пройдут по графику, компания перейдет к полноценному серийному производству уже в текущем квартале. Параллельно с этим производитель расширяет свои мощности: к концу года объем выпуска DRAM на предприятиях компании должен достичь 350 тысяч кремниевых пластин в месяц.
Технические параметры новой разработки пока держатся в секрете. Стандартные решения поколения HBM3E обычно используют 1024-битный интерфейс, обеспечивая пропускную способность до 1,2 ТБ/с при скорости передачи данных 9,6 Гбит/с на контакт. Итоговая емкость стека будет зависеть от плотности используемых кристаллов: например, восьмислойная сборка на базе 24-гигабитных модулей позволит получить 24 ГБ оперативной памяти в одном корпусе.
Комментарии (0)
Пока нет комментариев. Будьте первым!