Современные мобильные сети и системы интернета вещей упираются в физические ограничения традиционных полупроводников. Чтобы преодолеть порог в 1 ТГц, ученые обратились к многослойным структурам. В новой конструкции на германиевой подложке последовательно вырастили монокристаллический слой графена и тонкую пленку кремния. Такой подход позволил использовать уникальные свойства графена для контроля над движением электронов.
В ходе испытаний устройство показало частоту 132 ГГц, что является одним из лучших результатов для вертикальных транзисторов на основе двумерных материалов. Коэффициент усиления в 18 миллионов раз позволяет обрабатывать даже предельно слабые входные сигналы с минимальными потерями. Компьютерное моделирование подтверждает, что при оптимизации контактов и настройке параметров материалов технология способна выйти на терагерцовый уровень, необходимый для радаров и систем связи следующего поколения.
Комментарии (0)
Пока нет комментариев. Будьте первым!